Полупроводниковые приборы, их основные характеристики и практическое использование
Введение
Мир, в котором мы живем, насыщен электронными устройствами. И обойтись без них практически невозможно. Функциональность современных устройств обусловлена их размерами и вычислительной мощностью, и все это благодаря открытию и усовершенствованию полупроводников. Самый известный полупроводник - кремний (Si).Основными современными полупроводниковыми устройствами являются процессоры и другие микросхемы, состоящие из десятков тысяч полупроводниковых диодов и транзисторов.
Изучение вопросов, связанных с рассмотрением электропроводности полупроводников, устройств, функционирования и основных характеристик полупроводниковых устройств, безусловно, актуально, поскольку полупроводниковые устройства в настоящее время используются как в бытовой технике, которую мы используем ежедневно, так и в крупных промышленных, медицинских и других устройствах, таких как смартфоны, компьютеры, телевизоры, автомобили, аппараты искусственной вентиляции легких, аппараты искусственной вентиляции легких и
Содержание
Введение 3
Глава 1. Теоретические основы работы полупроводниковых приборов. 5
1.1 История развития теории полупроводников 5
1.2 Электропроводность полупроводников 7
1.3 Классификация полупроводников и их основные характеристики 17
1.4 Рекомбинация в полупроводниках 28
Глава 2. Практическое использование свойства односторонней проводимости полупроводников 32
2.1 Устройство и основные характеристики полупроводниковых диодов 32
2.2 Выпрямительные диоды 39
2.3. Стабилитроны 50
Глава 3. Снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода 52
Заключение 59
Список использованной литературы 60
Приложение 61
Список использованной литературы
1. Варава, А.Н. Общая физика: учебное пособие для вузов. - М. : Издательский дом МЭИ, 2010. - 505 с.
2. Лачин В.И., Савёлов Н.С. Электроника : учебное пособие для вузов — Ростов-на-Дону: Феникс, 2010. — 704 с.
3. Савельев И.В.Курс общей физики: в 5-х т. Т.5.-М.: Лань, 2021.
4. Трофимова Т. И. Курс физики: учеб. пособие для вузов — 18-е изд., стер. — М.: Академия, 2010 — 560 с.
Интернет-ресурсы
5. Величко Д. В., Рубанов В. Г. Полупроводниковые приборы и устройства [Электронный ресурс]: Учеб. пособие / Д. В. Величко, В. Г. Рубанов. – Белгород: Изд-во БГТУ им. В.Г.Шухова, 2010. – 184 с. Режим доступа: https://nsu.ru/xmlui/bitstream/handle/nsu/9039/pp_pribor.pdf
6. Миловзоров О.В., Панков И.Г. Электроника [Электронный ресурс] : учебник для бакалавров / О. В. Миловзоров, И. Г. Панков. — 5-е изд. — Москва: Юрайт, 2013. Режим доступа: http://www.lib.tpu.ru/fulltext2/m/2014/FN/fn-37.pdf
7. Полупроводниковые приборы. Электроника [Электронный ресурс]: Режим доступа: https://siblec.ru/radiotekhnika-i-elektronika/elektronika/1-poluprovodnikovye-pribory
Примеси оказывают значительное влияние на свойства полупроводников. Примеси (легированные) обычно называют полупроводниками, электропроводность которых обусловлена носителями заряда, образующимися при ионизации атомов. Примесные полупроводники, полученные путем введения донорской примеси, называются электронными полупроводниками или полупроводниками n-типа. Примесные полупроводники, полученные путем введения приемлемой примеси, называются дырочными полупроводниками или полупроводниками p-типа.
Полупроводники n-типа
Если в кремний ввести атом пятивалентного элемента (например, фосфора (рис. 1.7)), то четыре из пяти валентных электронов этого элемента вступя