Структуры с барьерами Шоттки на основе выпрямляющего контакта между металлом и слоями халькогенидов свинца
ВВЕДЕНИЕ
На данный момент времени наиболее значимые приборы полупроводниковой электроники является диод Шоттки, которые обладают большим быстродействием и высокой подвижностью носителей заряда.
Диоды Шоттки – это полупроводниковые приборы, представляющие собой переход между металлом и полупроводником. Состоящий из омического контакта, а второй выпрямляющий. Самые перспективные материалами для создания диода Шоттки, являются халькогениды свинца и твердые растворы на их основе.
Актуальность заключается, в создании полупроводникового прибора, с заданными выходными параметрами, который осуществляется с помощью управления механизмом токопрохождения через барьер Шоттки.
Цель работы: провести моделирование вольт-амперных характеристик и физико-математической модели различными механизмами токопрохождения в диоде Шоттки, с использование халькогенидов свинца на основе структуры диэлектрической подложки
Для успеха заданной цели необходимо выполнить следующие задачи:
- проана
СОДЕРЖАНИЕ
Введение……………………………………………..…...………………10
1.Методы получения и свойства халькогенидов свинца………………………………………………………………………...…..…
1.1 Свойства халькогенидов……………………….……………………12
1.2 Методы получения слоев халькогенидов свинца переменного состава…………………………………………………………………………....12
2.Методы получения диодов Шоттки и основые параметры…...…. ...16
2.1 Методы получения диодов Шоттки на основе халькогенидов свинца…………………………………………………………………………….16
2.2 Основные выходные параметры диодов Шоттки.………...............28
2.3 Поиск патентов по теме структура диода Шоттки………….….....29
3. Диоды Шоттки на диэлектрических подложках с использованием слоя халькогенида свинца ………………………………………………….…..33
3.1 Определение основных факторов , влияющих на механизм токопрохождения диодов Шоттки……………………………………..……….33
3.2 Провести анализ и выбор материалов электрических контактов для диодов Шоттки……………………………………………………….……...36
3.3 Расчет основных параметров барьера Шоттки с учетом механизмов токопрохождения………………………………………………...37
3.4 Создание структуры диодов Шоттки на диэлектрических подложках……………………………………………………………….....…….39
3.5 Разработка модели вольт-амперных характеристик диодов Шоттки на основе слоев халькогенидов свинца переменного состава………….…..…43
4. Безопасность жизнедеятельности на производстве………...............50
Заключение………………………………………………….………...…51
Список использованных источников……………………………..…....53
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ
Абрикосов Н.Х., Банкина В.Ф., Порецкая Л.В., Скуднова Е.В., Шелимова Л.Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений. А4В6.// Наука. – М. – 1975. – С.194 – 195.
Ахмедов О.Р. Оптические свойства тонких пленок PbS / Ахмедов О.Р. Гусейналиев М.Г., Абдуллаев Н.А., Абдуллаев Н.М., Бабаев С.С., Касумов Н.А. // Физика и техника полупроводников. – 2016. – №50. – С. 51 – 54.
В.Д. Бочков, Я.С. Бычковский, Б.Н. Дражников, И.С. Кондюшин, Н.Ф. Кощавцев. Матричные фотоприемники на основе халькогенидов свинца //Прикладная физика . – 2013. – №6. – С.45-46.
Довженко Д.С., Мартынов И.Л., Еремин И.C., Чистяков А.А. Исследование фотолюминесценции квантовых точек CdSe ZnS, внедренных в микрорезонатор из пористого кремния.// III Всероссийская конференция по фотонике и информационной оптике: сборник научных трудов. – М. – 2015. – С. 98 – 100.
Дроздов А.В., Данилов Д.С., Юнусов И.В., Гошин Г.Г. Моделирование диодов с барьером Шоттки для применения в монолитных интегральных схемах СВЧ.// Электроника измерительная техника и радиосвязь. – М. – 2018. – С. 28 – 31.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов.// Энергия. – М. – 1979. – С. 430 – 450.
Зимин С.П., Горлачев Е.С. Наноструктурированные халькогениды свинца.//ЯрГУ. – Яр.– 2011. – С.220 – 222.
Марков В. Ф., Маскаева Л. Н., Китаев Г. А Кинетика химического осаждения PbS в присутствии галогенидов аммония, микроструктура и электрофизические свойства пленок // Журнал прикладной химии. – 2000. – № 8. – С. 52 – 56.
Морозова Н.К. Изоэлектронные центры кислорода и проводимость кристаллов CdS в сравнении с PbS / Морозова Н.К. Мирошников Б.Н. // Физика и техника полупроводников. – 2018. – Т 52. – С. 295 – 298.
Родерик Э.Х. Контакт металл-полупроводник.// Радио и Связь. – М. – 1982. – С. 330 – 334.
Юшков Р.Д. Зависимость высоты потенциального барьера Шоттки от величины коэффициента нелинейности//Вестник науки . – 2023. – №6. – С.797-799.
Юшков Р.Д. Исследование термополевой и п
Пленка оксида европия травилась в растворе HCl H2O 1 к 10, а двуокись кремния в травителе из HF NH4F 40%. Затем резистивная маска удалялась в смеси диметилформамида с моноэтаноламином, после чего наносилась металлизация первого уровня, состоящая из сплава AuZn, создающая низкоомный контакт к арсениду галлия. Толщина пленки составляла 1мкм. Далее следовал отжиг полученной системы при температуре 450oC в течение 1 мин в среде водорода, после чего осуществлялась взрывная фотолитография путем растворения вспомогательного слоя оксида европия в растворе HCl H2O 1 к 10, в результате чего формировались контакты к полосковым областям, образованным в пленке двуокиси кремния. После этого на полученную структуру наносилась металлизация второго уровня, состоящая из адгезионного подслоя хрома толщиной 0,5 мкм и пленки золота толщиной 0,4 мкм при нагреве пластин до 250oC, обеспечивающая надежное покрытие как к металлизации первого уровня A