Сравнение методов катодного и магнетронного распыления тонких пленок меди
Введение
Работа посвящена экспериментальному и теоретическому обоснованию путей управления особенностями нанесения тонких пленок меди различными методами напыления.
В настоящее время наиболее перспективными методами нанесения покрытий являются вакуумно-плазменные методы. Это связано с их экологической безопасностью, высокой чистотой технологических процессов и качеством продукции. Также известно, что в ионизированном или возбужденном состоянии атомы и молекулы легче взаимодействуют друг с другом, что делает процесс нанесения покрытия более эффективным.
Магнетронное напыление - это высокоскоростная вакуумная технология нанесения покрытий для нанесения металлов, сплавов и соединений на широкий спектр материалов толщиной до миллиметра. Он демонстрирует несколько важных преимуществ по сравнению с другими методами вакуумного покрытия, свойство, которое привело к развитию большого количества коммерческих применений от микроэлектронного изготовления до простых декоративных покрытий.
Оглавление
Введение3
Глава 1. Обзор литературы.5
Формирование тонких пленок.5
Адсорбция.9
Зародышеобразование.11
Рост новой фазы.12
Стадии процесса роста пленки.15
Физические вакуумные методы.17
Глава 2. Оборудование и методика измерения.33
Описание установки УВР-3М33
Спектрофотометрия. Оптические свойства.35
Глава 3. Результаты исследования.38
Заключение39
Список литературы40
Список литературы
Беленький Е. Ф. Химия и технология пигментов: учебное пособие для вузов / Е. Ф. Беленький, И. В. Рискин. – Изд. 4-е, перераб. и доп. - Л.: Госхимиздат, 1971. – 624 с.
Богуславский Л. И. Методы получения наночастиц и их размерно- чувствительные физические параметры / Л. И. Богуславский // Вестник МИТХТ. 2010. Т. 5. №5. С. 3-12.
Гусев А. И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии [Текст] / А. И, Гусев. – Москва: ФИЗМАТЛИТ, 2009.
Введение в нанотехнологии [Текст] / Л. К. Кеменек, Г. Т. Брынских и др. – Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2008. – 128 с.
Новые материалы [Текст]: науч. издание / МИСИС, 2002. – 736 с.
Михайлов М. Д. Химические методы получения наночастиц и наноматериалов [Текст]: учебное пособие / М. Д. Михайлов. – СПб.: Изд-во Политехн. Ун-та, 2012. -259 с.
Сумм Б. Д. Коллоидно-химические аспекты нанохимии – от Фарадея до Пригожина / Б. Д. Сумм, Н. И. Иванова // Вестн. Моск Ун-та. Сер. 2. Химия. 2001. Т.42. №5. С. 300-305.
Готра З. Ю. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. — М.: Радио и связь. 1991. — 528 с.
Маиссел Л. Технология тонких пленок / Л. Маиссел – М.: Сов. радио, 1977.— 768 с.
Соколов И. В. Многолучевые интерферометры. М.: Машиностроение. — 1969. — 248 с.
Синтез наноразмерных материалов при воздействии мощных потоков энергии на вещество / А.В. Булгаков [и др.] // Новосибирск: Институт теплофизики СО РАН. — 2009. — 462 с.
Pashley D. W. The study of epitaxy in thin surface films / Proc. 5Th Intern Congr. Electron Microscope. — New York, 1962. — 225 p.
Синтез наноразмерных материалов при воздействии мощных потоков энергии на вещество / А.В. Булгаков [и др.] // Новосибирск: Институт теплофизики СО РАН. — 2009. — 462 с.
Кокшина А.В. Методическое пособие «Оптические методы исследования тонких плёнок» / А.В. Кокшина, А. В. Белова, А. Г. Краснова, профессор В. Д. Кочаков / Чебоксары – 2011.
https://ru.wikipedia.org/wiki/Магнетронное_распылениеhttps://www.sciencedirect.com/science/a
Таким образом, тенденция к образованию островной структуры усиливается:
При высокой температуре подложки;
В материале с низкой температурой кипения;
При низкой скорости осаждения;
При наличии слабого соединения между пленкой и подложкой;
При высокой поверхностной энергии в пленочном материале;
При низкой поверхностной энергии подложки.
1.5. Этапы процесса роста пленки.
При рассмотрении процесса роста пленки обычно выделяют 4 стадии.
• Образование островковой пленки
Эмбрионы, обычно возникающие в результате флуктуационных процессов, растут в трех измерениях, но рост в направлениях, параллельных субстрату, происходит быстрее, чем обычно. Это объясняется тем, что рост происходит в основном за счет поверхностной диффузии адатомов на подложке, а не за счет прямого столкновения с атомами в паровой фазе.