Исследование оптических свойств линейных массивов слабосвязанных квантовых точек

Скачать дипломную работу, в которой проводиться исследование оптических свойств линейных массивов слабосвязанных квантовых точек
Author image
Timur
Тип
Дипломная работа
Дата загрузки
11.11.2023
Объем файла
416 Кб
Количество страниц
13
Уникальность
Неизвестно
Стоимость работы:
1760 руб.
2200 руб.
Заказать написание работы может стоить дешевле

ВВЕДЕНИЕ

В основе многих современных оптоэлектронных приборов находятся квантово-размерные структуры. Современные полупроводниковые технологии позволяют создавать разнообразные наносистемы с самыми разными оптическими, кинетическими и другими свойствами [1, 2].
Квантовые точки (КТ) являются относительно новым и весьма инте-ресным объектом исследования в физике твердого тела. Эффект размерного квантования наиболее сильно выражен именно в случае квантовых точек, в которых длина волны де Бройля носителей заряда (электронов и дырок) со-поставима с размерами КТ и движение носителей ограничено сразу в трех направлениях, состояния носителей оказываются квазинульмерными (спектр энергии дискретный).
КТ обладают рядом уникальных физических свойств [1–3]. В результате ограничения движения (конфайнмента) многие физические свойства КТ значительно отличаются от свойств объемных кристаллов, а также объектов с ограничением движения носителей в одном или двух направлениях (квантовые ямы и квантовые нити). Можно сравнить КТ с атомами, а заряженые КТ с ионами, проявляются такие общие свойства этих систем как трехмерная локализация носителей и дискретность спектра энергетических состояний. Часто говорят, что физика КТ напоминает физику атома, и в этом смысле КТ является “рукотворным атомом” (artificial atom).

ОГЛАВЛЕНИЕ

Введение 3

1.Обзор литературы

2. Постановка задачи. Основные уравнения 8

3. Анализ результатов

Заключение 29

Литература 30

ЛИТЕРАТУРА

1. Пул-мл., Ч. Нанотехнологии / Ч. Пул-мл., Ф. Оуэнс. - Москва : Техносфера, 2006.Текст : непосредственный.
2. Игнатьев, И. В. Динамика носителей в полупроводниковых квантовых точках. И. В. Игнатьев, И. Э. Козин. - Санкт-Петербург: C.-Петербургский госуниверситет, 2005.Текст : непосредственный.
3. Синявский, Э. П. Влияние электронфононного взаимодействия на оптические свойства квантовых точек / Э. П. Синявский, E. И. Брусенская, А. В. Бурлачук. - Текст : непосредственный // Вестник Приднестровского университета. Серия: Физико-математические  и технические науки. - 2013. - № 3(53).C. 53-58.
4. Флюгге, З. Задачи по квантовой механике / З. Флюгге. - Москва : Мир, 1974. Текст : непосредственный.
5. Левич, В. Г. Курс теоретической физики. Т. 2 / В. Г. Левич, Ю. А. Вдовин, B. А. Мямлин. - Москва : Физматгиз, 1962.Текст : непосредственный.
6. Хамидуллин, Р. А. Исследование линейных массивов слабосвязанных квантовых точек / Р. А. Хамидуллин, Е. И. Брусенская, Л. В. Дудник. - Текст: электронный // Вестник Приднестровского университета. Серия : Физико-математические и технические науки.2019. - № 3(45). - С. 45-49.
7. Кубо, Р. Статистическая механика необратимых процессов. I. Общая тео-рия и некоторые простые приложения к задачам магнетизма и электропроводности / Р. Кубо. - Текст: непосредственный // Вопросы квантовой теории необратимых процессов. - Москва : Издательство иностранной литературы, 1962.C. 39-79.
8. Градштейн, И. С. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений / И. С. Градштейн, И. М. Рыжик. - Москва : Гос. изд. физ.мат. литер. , 1962. - Текст: непосредственный.

Из (3) следует, что энергетический спектр электронов в массиве КТ не является дискретным, а оказывается системой узких минизон (рис. 4). Энергия верхнего края минизон равна энергии соответствующих уровней изолированной КТ [6]. Минизоны могут быть расположены различными способами (перекрываясь полностью или частично, либо не перекрываясь) в зависимости от соотношений между размерами КТ, а также между компонентами тензора обратных эффективных масс электронов. Без учета анизотропии для кубических КТ имело бы место вырождение и минизоны бы перекрывались. Ширины минизон Δ_(n_1 ) возрастают при увеличении номера минизоны n1 и при уменьшении высоты и/или ширины потенциального барьера, а также при уменьшении размера a КТ (см. рис. 4). Кроме того, ширины минизон Δ_(n_1 ) зависят от эффективной массы m1, т. е. с учетом анизотропии материала КТ зависят от того, как относительно кристаллографических направлений выращена наноструктура. Таким образом, учет слабой туннельной связи между КТ может оказаться существенным для энергетического спектра носителей заряда (выражения для дырок получаются путем замены электронных параметров на дырочные со сдвигом на ширину запрещенной зоны E_g) и физических свойств линейного массива КТ. Это отчетливо можно увидеть на примере поглощения света при переходах между электронными минизонами.