Зарядовая нестабильность МДП структуры. Гистерезис
Введение
Метод “малого” сигнала, который получил массовое распространение в момент измерения показателей полупроводниковых структур, в особенности МДП (металл-диэлектрик полупроводник), представляет собой единовременную подачу измерительного сигнала “малой” амплитуды и напряжение смещения на изучаемую структуру, который при помощи генератора производит напряжение изменяющиеся линейно (ГЛИН), они влияет на изменение энергетического состояния изучаемой структуры.
Зарядовая нестабильность МДП структуры. Гистерезис.
При прямом направлении изменения напряжения смещения, а также при обратном происходит фиксация зависимости С-U и G-U параметров МПД структуры в этом и заключается целый измерительный процесс по оценке значений.
Введение
Зарядовая нестабильность МДП структуры. Гистерезис.
Принцип работы ГЛИН
Вывод
Не найдено
Возможность перевода ГЛИН в режим длительной по временному участку выработки напряжения неизменяемого в заданном значении амплитуды с определенным знаком полярности нужна для определения зарядовой нестабильности МДП структуры. Существует вероятность сдвига по оси напряжения смещения C-U и G-U характеристик, изучаемой структуры под воздействием данного режима идет перезаряд глубинных поверхностных состояний МДП структуры и активация поляризационных эффектов. В такой режим работы представленные ГЛИН переходят через подачу на вход микроконтроллера (А15). Который управляет сигналом и единичного уровня с помощью нажатия переключателя (1) представленного на рис.2.