Разработка интерфейса по выбору скоростей осаждения и толщин слоев
ВВЕДЕНИЕ
Актуальность работы.Тонкие пленки металлоксидов широко применяются в технологии интегральных схем, акусто - и оптоэлектронике[1]. Интерес к тонким пленкам молибдата свинца, обусловлен их уникальными акустооптическими свойствами.Основным требованиям, предъявляемым к пленкам, является постоянство их физико-химических свойств, которое, в свою очередь, определяется постоянством строения тонких пленок. Строение пленок зависит от условий осаждения и особенностей используемой технологии.Среди существующих методов формирования тонких пленок металлоксидов особое внимание привлекает распыление ионным пучком [2]. Использование ионно-лучевого метода позволяет осуществлять технологические режимы выращивания тонких пленок с недоступными для других способов параметрами. Распыление ионным пучком подразделяется на распыление пучком ионов инертного газа (аргона, ксенона) и реактивное распыление пучком ионов (кислорода, азота).
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ………………………………………………………..……………3
ГЛАВА 1. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ...............................5
Фазовый состав и строение………………………………...………..… 5
Теория Зигмунда. Коэффициент распыления………………………...12
Физические основы теории Зигмунда. Пороговые энергии распыления…………………………………………………………………….17
ГЛАВА 2. МОДЕЛИРОВАНИЕ РАСПЫЛЕНИЯ Mo, Pb, MO3,PbO в СРЕДЕ MATHCAD...........................................................................................22
2.1. MathCad и его возможности…………………………………………...22
2.2. Постановка задач и исходные данные…………….……......................23
2.3. Интерфейс для расчетов .…………………………….……..…………29
ГЛАВА 3. РАСЧЕТ ТОЛЩИН ПЛЕНОК В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ (РАССТОЯНИЕ МИШЕНЬ-ПОДЛОЖКА, РАЗМЕР ПОДЛОЖКИ)...........................................................37
Не найдено
Основными дефектами в кристаллах молибдата свинца являются вакансионные разупорядочения в молибденовой и кислородной подрешетках (дефект по Шоттки) [11] и ионы Pb2+ [5]. Дефектность структуры определяет появление центров окраски кристалла. В [12] показано, что желтоватый оттенок монокристаллов PbMoO4 связан с наличием ионов свинца с зарядом, большим 2. На окраску кристаллов также оказывает влияние микропримесиBi, Fe, Tlи стехиометрия исходных веществ[13,14]. Из особых чистых исходных веществ были получены бесцветные монокристаллы PbMoO4 [13], что очень важно для использования их для целей акустооптики, где основными требованиями являются прозрачность и оптическая однородность.Молибдат свинца является полупроводником p-типа [15]. Ширина запрещенной зоны Eg=3,22 эВ [16]. Обладает амфотерностью полупроводниковых свойств: меняет тип проводимости с “p” на “n” при повышении температуры (>570ºС) и понижении парциального давления кислорода (<10 мм рт. ст.). Изменение типа проводимости может происходить как за счет образования дефектов по Френкелю, так и за счет потери MoO3, температура сублимации которого равна 600ºС [15].Удельная электропроводность молибдата свинца в зависимости от температуры и парциального давления кислорода меняется в пределах Ơ=10-11-10-4 Ом-1 см-1 [15,16].Твердофазный синтез порошка PbMoO4 осуществляется в несколько стадий [16]: 14-500ºС – 3 часа, 500-600ºС – 5 часов, 800ºС – 2 часа.Порошок молибдата свинца может быть получен в результате синтеза из исходных оксидов PbO и MoO3 в пучке ускоренных электронов с энергией 8-10 Мэв [20]. Использование пучка высокоэнергетических электронов позволило на 40-45 секунд достигнуть равномерного прогрева смеси PbO-MoO3до температуры синтеза, исключив тем самым сублимацию MoO3.