Герметизация полупроводниковых приборов
Введение
В современном мире полупроводниковые приборы играют огромную роль в различных отраслях промышленности, начиная от электроники и информационных технологий и заканчивая автомобильной и медицинской промышленностью. Однако, чтобы обеспечить надежную работу этих приборов, необходимо обеспечить герметичность их корпусов.
Герметизация – это процесс создания герметичного корпуса для полупроводниковых приборов. Герметичность является одним из наиболее важных параметров при производстве полупроводниковых приборов, поскольку она позволяет сохранить электрические свойства прибора и защитить его от внешних воздействий. Неправильная герметизация может привести к потере электрических свойств прибора, повреждению его элементов и снижению надежности работы.
Основные проблемы, связанные с герметизацией, включают потерю электрических свойств прибора и повреждение его элементов. Потеря электрических свойств может привести к снижению производительности прибора и ухудшению качества его раб
Содержание
Введение 3
Глава 1. Технологии герметизации полупроводниковых приборов 5
1.1 Состояние и свойства поверхности полупроводников приборов 5
1.2 Методы герметизации: корпусная и бескорпусная герметизация 8
1.3 Контроль герметичности полупроводниковых приборов 32
1.4 Физические процессы, возникающие в ходе герметизации 34
Глава 2. Герметизация полупроводниковых приборов и контроль герметичности на примере АО «НПП» Завод Искра» 45
2.1 Герметизация полупроводниковых приборов на АО «НПП «Завод Искра» 45
2.2 Контроль герметичности на АО «НПП «Завод Искра» 59
Заключение 64
Список использованной литературы 67
Список литературы
1. Бер, А.Ю. Сборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем / А.Ю. Бер, Ф.Е. Минскер. – М.: Высш. шк., 1986. – 279 с.
2. Березин, А.С. Технология и конструирование интегральных микросхем / А.С. Березин, О.Р. Мочалкина. – М.: Радио и связь, 1983. – 232 с.
3. Бейлина, Р. А. Методические указания к курсовому проектированию по курсу «Проектирование и производство интегральных микросхем» / Р.А. Бейлина [и др.]. – Новополоцк: ПГУ, 1996. – 54 с.
4. Болванович, Э.И. Полупроводниковые пленки и миниатюрные измерительные преобразователи / Э.И. Болванович. – Минск: Наука и техника, 1981. – 214 с.
5. Волков, В.А. Сборка и герметизация микроэлектронных устройств / А.А. Волков. – М.: Радио и связь, 1982. – 144 с.
6. Готра, 3.Ю. Технология микроэлектронных устройств: справочник / 3.Ю. Готра. – М.: Радио и связь, 1991– 528 с.
7. Довгяло, Д. А. Проектирование и системы автоматизированного проектирования интегральных микросхем, микроэлектроника и микросхемотехника: учеб.-метод. комплекс для студентов специальностей 1-
39 02 01 «Моделирование и компьютерное проектирование радиоэлектронных средств», 1-36 04 02 «Промышленная электроника» / В 2 ч. Ч. 1. Технология микроэлектронных устройств / Д. А. Довгяло. – Новополоцк ПГУ, 2012. – 316 с.
8. Достанко, А.П. Технология интегральных схем / А.П. Достанко. – Минск: Высш. шк., 1982. – 206 с.
9. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов / С. Зи. – Т.1, 2. – М.: Мир, 1984. – 456.
10. Казённов, Г.Г. Основы проектирования интегральных схем и систем / Г.Г. Казённов. – М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2005. – 295 с.
11. Козырь, И. Я. Микроэлектроника: учеб. пособие для втузов. В 9 кн. Кн. 5: Качество и надежность интегральных микросхем / И.Я. Козырь; под ред. Л.А. Коледова. – М.: Высш. шк., 1987. – 144 с.
12. Коледов, Л.А. Конструирование и технология микросхем: курсовое проектирование / Л.А. Коледов, В.А. Волков, Н.И. Докучаев; под ред. Л.А. Коледова. – М.: Высш. шк., 1984. – 231 с.
13. Коледов, Л.А. Технология
Этот вид сварки для герметизации стали применять сравнительно недавно. Однако этот способ будет, безусловно, широко использоваться благодаря ряду преимуществ перед другими способами герметизации.
При электронно-лучевой сварке зазор между соединяемыми изделиями должен быть минимальным, например, при сварке деталей толщиной 0,3 мм – не более 0,02 мм. Для уменьшения допусков на размеры зазора и воздействия сварки на металлостеклянные спаи необходимо разрабатывать специальную конструкцию корпусов и проводить подготовку кромок. Наиболее рациональная форма кромок корпуса под сварку приведена на рис. 5. При такой форме соединение происходит за счет взаимного расплавления металла крышки и основания. Глубина проплавления может достигать 0,5 мм, что обеспечивает герметичность изделия14.
14 Бер, А.Ю. Сборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем / А.Ю. Бер, Ф.Е. Минскер. – М.: Высш. шк., 1986. – 279 с.
Рис. 5. – Форма кромок металлостеклянного корпуса