Исследование многослойных струтур на поверхностных акустических волнах на сапфировой подложке и тонкой пъезоэлектрической пленке
ВВЕДЕНИЕ Поверхностные акустические волны (ПАВ) - это механические волны, распространяющиеся по поверхности материала. Они играют важную роль в различных приложениях, связанных с передачей сигналов, фильтрацией и детектированием. Такие устройства представляют собой один из вариантов таких ПАВ-устройств.
Сапфировая подложка, обычно состоящая из одноатомного кристаллического оксида алюминия (Al2O3), обладает рядом привлекательных свойств для создания многослойных структур. Сапфир обладает высокой механической прочностью, теплопроводностью и химической стабильностью, что позволяет использовать его в различных технических приложениях. Тонкая пьезоэлектрическая пленка, которая наносится на сапфировую подложку, обычно состоит из материалов, таких как алюминий (Al), цирконат (ZnO) или титанат (PbTiO3), и обладает свойством пьезоэлектричества - способностью преобразовывать механическую энергию в электрическую и наоборот.
ВВЕДЕНИЕ 9
1 ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 14
1.1 Многослойные структуры на ПАВ 14
1.2 Волны Рэлеевского типа 15
1.3 Применение микроприборов на ПАВ 16
1.4 Технология изготовления фильтров на ПАВ 18
1.5 Теоретические основы процесса изготовления тонких пленок AlN 21
1.6 Метод конечных элементов 22
1.7 Пример применения нечеткой логики. 23
2 РЕАЛИЗАЦИЯ ПРОЦЕДУРЫ ПРИНЯТИЯ РЕШЕНИЯ НА ОСНОВЕ НЕЧЕТКОЙ ЛОГИКИ В ДОСМОТРОВЫХ СИСТЕМАХ 27
2.1 Досмотровые системы компании Апстек 27
2.1.1 Human Security Radar 27
2.1.2 Human Security Scanner 30
2.1.3 Дискриминирующий металлодетектор 33
2.2 Архитектура системы принятия решения в HSR, HSS, ДМД 34
2.2.1 Получение “физического” представления 34
2.2.2 Обнаружение “аномалий” и построение их “треков” 34
2.2.3 Классификация “треков” на опасные и безопасные 36
2.3 Библиотека aps_fuzzylogic 37
2.3.1 Функции принадлежности (Membership Function) 37
2.3.2 Результат (Outcome) 37
2.3.3 Лингвистические переменные (LingVar) 38
2.3.4 Правила (Rule) 38
2.3.5 Класс нечеткой логики (FL) 38
2.3.6 Конфигурационные файлы 38
3 ОЦЕНКА ИЗМЕНЕНИЙ ТРЕБОВАНИЙ НОРМАТИВНЫХ ДОКУМЕНТОВ В ОТНОШЕНИИ ОРГАНИЗАЦИИ РАБОЧЕГО МЕСТА С ПЭВМ 41
3.1 Обзор нормативного документа 41
3.2 Нормативный документ ГОСТ Р 50923-96 42
3.3 Отмененный нормативный документ СанПиН 2.2.2/2.4.1340-03 45
3.4 Действующие нормативные документы 47
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 48
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ 49
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВКОЙГЕРОВ А. С., КОРЛЯКОВ А. В. Учредители: Российская академия наук, Физико-технологический институт им. КА Валиева РАН //МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. – 2022. – Т. 51. – №. 4. – С. 272-282.
Pedrós J. et al. Anisotropy-induced polarization mixture of surface acoustic waves in Ga N∕ c-sapphire heterostructures //Physical Review B. – 2005. – Т. 72. – №. 7. – С. 075306.
Jean Claude A. O. et al. Modeling and Electrical Characterization of a Bilayer Pt/AlN/Sapphire One Port Resonator for Sensor Applications //Electronics. – 2021. – Т. 10. – №. 4. – С. 370.
Дмитриев В. Ф. ББК 32.844. 1 Д53 Рецензенты: Федеральное государственное унитарное предприятие «НИИ Век тор». – 2006.
Multiphysics C. Introduction to comsol multiphysics® //COMSOL Multiphysics, Burlington, MA, accessed Feb. – 1998. – Т. 9. – №. 2018. – С. 32.
Dobrovinskaya E. R., Lytvynov L. A., Pishchik V. Sapphire: material, manufacturing, applications. – Springer Science & Business Media, 2009.
Munisso M. C., Zhu W., Pezzotti G. Raman tensor analysis of sapphire single crystal and its application to define crystallographic orientation in polycrystalline alumina //physica status solidi (b). – 2009. – Т. 246. – №. 8. – С. 1893-1900.
JUehara K. et al. Fabrication of 5-GHz-band SAW filter with atomically-flat-surface AlN on sapphire //IEEE Ultrasonics Symposium, 2004. – IEEE, 2004. – Т. 1. – С. 203-206.
Morgan D. Surface acoustic wave filters: With applications to electronic communications and signal processing. – Academic Press, 2010.
Чернышова Т. И., Чернышов Н. Г. Проектирование фильтров на поверхностноакустических волнах: учебно-методическое пособие //Т.: Тамб. гос. техн. ун. – 2008. – Т. 2008. – С. 48.
Фещенко В. С. и др. Особенности получения пьезоэлектрических тонких пленок методом плазменного напыления из порошкообразного AlN //Russian Technological Journal. – 2020. – Т. 8. – №. 1. – С. 67-79.
Одной из главных особенностей распространения ПАВ в пьезоэлектрических материалах является то, что механические смещения сопровождаются электрическим потенциалом. Поверхностная волна обычно имеет три компоненты механического смещения - две поперечных и одну продольную. Учет всех этих физических особенностей распространения волн в анизотропных кристаллах возможен с помощью численного анализ.Рисунок 1 – Встречно-штыревой преобразователь на ПАВ
1.4 Технология изготовления фильтров на ПАВНаиболее распространенная общая схема изготовления фильтров ПАВ включает в себя следующие основные технологические операции: изготовление пьезоэлектрического звукопровода, изготовление фотооригинала и фотошаблона, металлизация звукопровода, формирование встречно-штыревых структур преобразователей и контактных шин, монтаж, сборка и герметизация фильтра.