Экситоны в полупроводниковых гетероструктурах на основе EuO
Аннотация:
Изучены свойства экситонов в гетероструктурах на базе EuO. Для магнитного полупроводника использована модель косвенного обменного взаимодействия. Также проведён вывод формулы для времени жизни экситона. Учтено, что экситоны образуются при возбуждении кристалла квантами с энергией, которая меньше ширины запрещённой зоны.
Ключевые слова:
Экситон, гетероструктура, время жизни возбуждения
Содержание не найдено
Список литературы:
1. Головнёв Ю.Ф. Наноразмерные ферромагнитные гетеросистемы: Монография / Ю.Ф. Головнёв. – Тула: Издательство ТГПУ им. Л. Н. Толстого, 2007. – 262 с.
2. Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки: Пер. с англ. М.: Мир, 1989, - 240 с.
3. Лианг Х., Хай Ф., Рен Х., Чен Ю., Чен Б., Гуо Ф. Температурная зависимость люминесценции комплексов европия, легированных полиметилметакрилатом// Spectrochim. Acta Part A, 2013, 116, с. 317 – 320
Агранович В.М., Теория экситонов, М., 1968г. – 382 с.
Спины c-электронов не влияют на полный момент кристалла EuO и этим они отличаются от l-электронов. C-электроны движутся по кристаллу и при этом движении взаимодействуют с l-спинами. При косвенном обменном взаимодействии все локализованные f-электроны принимаются одинаковыми. Магнитный полупроводник состоит из катионов с ненулевым спином, равным 7/2, и немагнитных анионов. Зона проводимости представляет собой состояние, отличное от состояния частично заполненных оболочек. При образовании пары «электрон проводимости – дырка» состояния орбиталей l-электронов не меняются. Обмен l-спинов и электронов происходит гораздо сильнее, чем обмен l-спинов и дырок. Косвенное обменное взаимодействие усиливается при установлении магнитного порядка. EuO является ферромагнитным полупроводником благодаря недозаполненной 4f-оболочке. Он имеет кристаллическую решётку с периодом 0,5139 нм и ширину запрещённой зоны 1,2