Применение карбида кремния в изготовлении транзисторов
Применение передовых методов изготовления и прецизионных методов контроля, а также уменьшение размеров полупроводниковых структур привели к тому, что свойства современных силовых приборов подошли к пределам, обусловленным физическими свойствами кремния. Это явилось причиной поиска альтернативных полупроводниковых материалов.
Литература
- Блихер. А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов / А. М. Блихер: Энергоатомиздат, 1986. – 248.
- Kononchuk O. Silicon - on - insulator (SOI) Technology / O. Kononchuk, B. -Y. Nguyen. - Elsevier, 2014. - P. 457.
Карбид кремния внедряется в производство, но не все производители готовы с ним работать из-за высокой цены. Крупные производители взялись за разработку низко дефектных карбидокремниевых подложек, так как выдающиеся качества карбида кремния смогли задержать на себе их внимание. Пытаясь увеличить денежную прибыль на карбидокремниевых приборах, производители исследуют интеграции карбидокремниевых кристаллов в разных корпусах, а также вероятность доработок всех нововведений.