Процессы рекомбинации и разогрева носителей заряда в наноструктурах с квантовыми ямами

Содержание не найдено

1. Данилов, Л.В. Теоретическое исследование процессов оже-рекомбинации в глубоких квантовых ямах/ Л.В. Данилов, Г.Г. Зегря // Физика и техника полупроводников. – 2008. – Т. 42. – Вып. 5. – С. 566 – 572.
2.  Shah, J. Ultrafast luminescence spectroscopy using sum frequency generation/J. Shah // IEEE J. Quantum Electron. – 1988. – Vol. 24. – Iss. 2. – P. 276 – 288.
3.  Vurgaftman, I. Band parameters for III–V compound semiconductors and their alloys / I. Vurgaftman, J.R. Meyer, R. Ram-Mohan // J. Appl. Phys. – 2001. – Vol. 89. – No. 11. – P. 5815 – 5875.

       4. Винниченко М.Я., Фирсов Д.А., Машко М.О., Штеренгас Л. Рекомбинация и захват электронов в лазерных наноструктурах с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb// Научнотехнические ведомости СПбГПУ. Физикоматематические науки №3, 2012. Стр.9-15

При конструировании лазеров и оптимизации их характеристик необходимо знать механизмы рекомбинации носителей заряда, в частности характеристики оже-рекомбинации, которая при определенных условиях может становиться резонансной [1].

В работе исследованы динамики фотолюминесценции и определение механизмов рекомбинации носителей заряда в структурах с квантовыми ямами InGaAsSb/InAlGaAsSb двух типов: содержащих и не содержащих индий (In) в твердом растворе, формирующем барьер.

Зависимости интенсивности фотолюминесценции от времени были получены экспериментально методом «up-conversion». Метод основан на преобразовании частоты излучения фотолюминесценции вверх при сложении сигнала фотолюминесценции и возбуждающего излучения с помощью нелинейного кристалла [2].